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Results
Showing 1 to 11 of 11 for “"Magnetowiderstand"”.
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Nachweis der elektrischen Spin-Injektion in II-VI-Halbleiter mittels Messung des elektrischen Widerstandes
… wurde am Gesamtbauteil ein positiver Magnetowiderstand von bis zu 25 % detektiert. Da sowohl der intrinsische Magnetowiderstand der einzelnen Halbleiterschichten negativ bzw. konstant war, als auch kein besonderes Magnetowiderstandsverhalten an der Metall-Halbleiter-Grenzschicht …
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Der Einfluss der Randstreuung auf ballistischen Magnetotransport
… bei kleinen Magnetfeldern, ein positiver Magnetowiderstand im longitudinalen Widerstand und ein positiver Bereich im Bend-Widerstand. Besonders interessant ist, dass die Staerke der Randstreuung keinen Ein uss auf den Bend- und den Hall-Widerstand hat. Diese Phaenomene koennen zum Teil …
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Herstellung von Bauelementen für Spininjektionsexperimente mit semimagnetischen Halbleitern
… die wie erwartet einen deutlichen positiven Magnetowiderstand zeigen, der nicht auf die verwendeten Materialien oder die Geometrie der Proben zurückzuführen ist. Der beobachtete Effekt scheint durch ein Zusammenspiel des semimagnetischen Halbleiters mit dem Metall-Halbleiter-Kontakt …
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Struktur und Magnetotransport laserdeponierter Lanthanmanganat Dünnschichtsysteme
… Schichten wurde der Korngrenzen-Magnetowiderstandseffekt ferromagnetisch-metallischer Manganate untersucht. Durch Variation der Substrattemperatur während der Abscheidung läßt sich die Textur graduell einstellen. Untersuchungen des quantitativen Verhaltens des Magnetowiderstandes …
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Ferromagnetic manganites: spin-polarized conduction and competing interactions
Electronic properties of solids are vitally important for modern technology, one may think of microelectronics, magnetic data storage, communication technologies and others. Sometimes, it seems possible to postpone the step of fundamental understanding when starting the application of a new …
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Magnetische Anisotropie und Spintransport in magnetoelektronischen Schichtsystemen und Nanostrukturen
The increasing use of information technology has lead to the development of numerous new concepts and processes in the production of electronic devices and magnetic data storage systems. The preparation and lithographic patterning of thin films plays a central role in this context. This work was …
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Physical investigations of novel materials and structures for Nano-MOSFETs
In this thesis four important physical and material aspects faced by MOSFET devices as dimensions move to the length scale of 10nm have been investigated: i) metal source/drain contacts with dopant segregation for reduced contact resistance and improved carrier injection; ii) variability of the …
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Elektrischer Transport in GaN- und InN-Nanodrähten
This thesis discusses the analysis of the electrical transport in GaN and InN nanowires at room temperature and deep temperatures. From those measurements two different transport models for those two in matter of the band banding completely different materials have been found. To perform those …
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Ladungs- und Orbitalordnungsphänomene in Übergangsmetalloxidverbindungen unter hydrostatischem Druck
The thesis is dealing with the investigation of charge and orbital order and their behaviour under external pressure. Therefore, a new pressure cell has been developed which allows the observation of superlattice reflections corresponding to the order phenomena under pressure using scattering of …
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An efficient full-potential linearized augmented plane wave electronic structure method for charge and spin transport through realistic nanoferronic junctions
Two extensions of the FLAPW electronic structure method are presented, which allow the efficient computation of charge and spin transport properties in realistic nanoferronic materials and nanostructures. First, an order-N implementation of the FLAPW method is presented, which allows the efficient …
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Quantentransport in III-V-Halbleiternanosäulen
The goal of this work has been to investigate und understand the electronic transport properties of vertical GaAs/AlAs nanocolumn resonant tunneling diodes (RTDs) and field effect transistors (RTTs) as well as of vertical InAs nanocolumn phase interference diodes. Using new top-down processing …