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Showing 1 to 1 of 1 for “"Laser annealing, Silicon Carbide, ohmic contacs"”.

  1. Metalizzazione su superfici di SiC: Contatti ohmici di Nisu 4H-SiC tramite processi laser

    La formazione dei contatti ohmici sul lato posteriore dei dispositivi di SiC è particolarmente importante poiché una barriera ad alto potenziale tende a formarsi all'interfaccia tra la maggior parte dei metalli e il SiC. Ciò si traduce in un basso trasporto di corrente, una bassa velocità di …

    catania Repository record for Metalizzazione su superfici di SiC: Contatti ohmici di Nisu 4H-SiC tramite processi laser (opens in a new tab)