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Der epitaktische Lift-off als Methode, elektrische- und optische Eigenschaften in III-V-Halbleiter-Strukturen zu beeinflussen

Böhm, StefanLudwig-Maximilians-Universität

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Magnetooptische Untersuchungen an ferromagnetischen III-V-Halbleitern

Winter, AndreasUniversität Bayreuth

Ferromagnetische III-V-Halbleiter wurden mittels des magnetooptischen Kerr-Effekts (MOKE) und des magnetischen Zirkulardichroismus (MCD) untersucht. Die gemessenen Signalhöhen sind proportional zur Magnetisierung. Damit war es möglich, Hystereseschleifen aufzuzeichnen. Obwohl zu erwarten wäre, dass …

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Magnetooptische Untersuchungen an Halbleitersystemen mit reduzierter Dimensionalität

Fürst, JensUniversität Bayreuth

… Untersuchung von niedrigdimensionalen Halbleiterstrukturen, bestehend aus III-V und IV-VI Halbleiternsystemen. Als Vertreter der III-V Halbleiter stehen InAs Quantenpunktproben zur Verfügung. Die elektronischen Eigenschaften der InAs Quantenpunkte werden mit Hilfe von Photolumineszenz- …

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Nachweis der elektrischen Spin-Injektion in II-VI-Halbleiter mittels Messung des elektrischen Widerstandes

Richter, GeorgUniversität Würzburg

… Ergebnisse der elektrischen Spininjektion in Halbleiter im diffusivem Regime werden mit dem Modell von Schmidt et. al gut beschrieben. Eine Folgerung aus diesem Modell ist, dass n-dotierte, verdünnte magnetische Halbleiter ("diluted magnetic semiconductors", DMS) als Injektor-Materialien für …

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Molekularstrahlepitaxie und Charakterisierung von (Ga,Mn)As Halbleiterschichten

Schott, Gisela MarieluiseUniversität Würzburg

In der Spintronik bestehen große Bemühungen Halbleiter und ferromagnetische Materialien zu kombinieren, um die Vorteile der hoch spezialisierten Mikroelektronik mit denen der modernen magnetischen Speichertechnologie zu verbinden. In vielen Bereichen der Elektronik wird bereits der III-V Halbleiter …

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Modulation des Fremdstoffeinbaus bei III-V-Halbleitern durch zeitabhängige Transport- und anisotrope Phasengrenzphänomene

Meinhardt, Jens Ulrich

… atomarer Einbaumechanismen auf das Wachstum von III-V-Verbindungshalbleitern wird mithilfe der Charakterisierungsmethoden Phasenkontrastmikroskopie und hochauflösender Photolumineszenz am Beispiel von aus der metallischen Lösung gezüchtetem hochdotiertem InP:S und (Ga,Al)Sb untersucht und mit den …

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