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Results
Showing 1 to 3 of 3 for “"III-Nitrid"”.
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Herstellung und Charakterisierung von Gruppe III-Nitrid Laserdioden
… auf der Basis der Gruppe III-Nitride. Aufgrund der mangelnden Verfügbarkeit von freitragendem GaN-Substrat in ausreichender Qualität trägt die Wahl des Fremdsubstrats für das defektarme Wachstum von (AlGaIn)N-Schichtstrukturen entscheidend zu Verbesserung der Laserkenndaten …
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Linear optical properties of III-nitride semiconductors between 3 and 30eV
… die linear optischen Eigenschaften von Gruppe-III-Nitrid Halbleitern zwischen 3 und 30eV gemessen sowie die strukturellen und elektronischen Hintergründe diskutiert. Untersucht werden dazu Galliumnitrid (GaN), Indiumnitrid (InN) und Aluminiumnitrid (AlN) sowohl in der stabilen hexagonalen …
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Growth of undoped and doped IIInitride nanowires and their characterization
… properties. For opto-electronic application, III-Nitride NWs are expected to further improve the performance and efficiency of optoelectronic device structures. III-Nitride NWs (GaN and InN) have been grown on different substrates by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE). It has been …