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Results
Showing 1 to 20 of 78 for “"II-VI"”.
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Characterization and device applications of II-VI nanocomposites
… transparent polymers and ZnS, and possible device applications of the resulting luminescent materials. The crystalline structure of these quantum dots is examined using XRD. The nature of the core-shell interface is inferred by comparison of the XRD spectra with calculated spectra and in …
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Synthesis and Characterization of Magnetic II-VI Nanoparticles
… we present a synthesis route to grow colloidal II-VI magnetic nanoparticles at room temperature with easily handled, relatively non-toxic source materials. CoSe and CrSe nanocrystals were synthesized in an aqueous solution where gelatin is used to retard the reaction. Characterization of the …
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II-VI Core-Shell Nanowires: Synthesis, Characterizations and Photovoltaic Applications
… the new building blocks for photovoltaic (PV) devices has drawn considerable attention because of the great potential of achieving high efficiency and low cost. In special, nanowires with a coaxial structure, namely, core-shell structures have demonstrated significant advantages over other device …
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Photoluminescence in rare earth activated oxides and II-VI chalcogenides
… ·of rare earth doped oxides and the IT-VI chalcogenide CaCdS. Both materials are luminescent by very different mechanisms. Luminescence from CaCdS is due to transitions between the conduction and valence band. Emission spectra were found to be much sharper than in previously reported …
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The kinetics of dissolution of some II-VI semiconductor compounds.
Massachusetts Institute of Technology. Dept. of Metallurgy. Thesis. 1965. Ph.D.
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Developing spectroscopic ellipsometry to study II-VI and diluted magnetic semiconductors
… £1 and £1 + .11 band gap energies in ZnSe-based II-VI semiconductors. To remove the natural surface oxide overlayer which distorts the intrinsic dielectric response of the sample, a chemical etching technique using dilute NI40H solution was developed. The successful removal of the oxide overlayer …
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Low-energy electron diffraction surface studies of II-VI semiconductor compounds.
Massachusetts Institute of Technology. Dept. of Chemistry. Thesis. 1968. Ph.D.
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Study of surface modifications for improved selected metal (II-VI) semiconductor based devices.
… to the operation of all semiconductor devices. There are many competing theories of Schottky barrier formation but as yet no quantitative predictive model exists to adequately explain metal-semiconductor interfaces. The II-VI compound semiconductors CdTe, CdS and ZnSe have recently come …
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Optische Charakterisierung von II-VI-Halbleiter-Oberflächen in Kombination mit First-Principles-Rechnungen
… (RAS), angewandt worden, um die Oberflächen von II-VI Halbleitern zu charakterisieren. Für die experimentellen Untersuchungen wurde eine eigens für diesen Zweck entwickelte UHV-Optikkammer benutzt. Diese einzigartige Möglichkeit, II-VI Halbleiterproben aus einer state-of-the-art MBE-Anlage mit …
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Electronic band structures for normal and high pressure phases of II-VI compounds
Submitted by Carolyn Mead (cmead2@illinois.edu) on 2011-06-16T14:51:46Z No. of bitstreams: 1 1982_boettger.pdf: 4204271 bytes, checksum: dee343abaff59524a746e9ec4a9a6855 (MD5)
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Mikroresonatoren auf der Basis von II-VI-Halbleitern mit ein- und dreidimensionalem photonischem Einschluß
Gegenstand der vorliegenden Arbeit waren II-VI-Halbleiter basierende Mikroresonatoren. Die Ziele der Arbeit bestanden dabei hauptsächlich in: 1. Untersuchung nichtlinearer Emission und starker Exziton-Photon-Kopplung bei eindimensionalem photonischem Einschluß auch bei hohen Leistungsdichten und …
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Nachweis der elektrischen Spin-Injektion in II-VI-Halbleiter mittels Messung des elektrischen Widerstandes
… auch in der technologisch wichtigen Familie der III/V Halbleiter etablieren zu können, wurde die elektrische Spininjektion von n-(Cd,Mn)Se in n-InAs untersucht. Basierend auf den Prozessschritten "Elektronenstrahlbelichtung" und "nasschemisches Ätzen" wurde eine Ätztechnologie entwickelt und …
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Characterization of II-VI semiconductor nanostructures by low wavenumber raman- and four-wave-mixing spectroscopy
… eine qualitative Studie quasi-nulldimensionaler II-VI Halbleiter Nanostrukturen. Es wurden handelsübliche und wärmebehandelte CdSxSe1-x Quantenpunkte (QDs) mittels linearer und nicht-linearer Spektroskopie untersucht. Im Rahmen nicht-resonanter Raman Spektroskopie wurden Schlüsseleigenschaften …
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Herstellung und Charakterisierung von Nanostrukturen auf der Basis von II-VI-Materialien mittels der Schattenmaskentechnologie
… Deshalb richtete sich der Blick auf das aus der III-V-Epitaxie bekannte Schattenmasken-Verfahren zur Herstellung makroskopischer sogenannter ,,nipi-Strukturen''. Diese zeigen den interessanten Effekt, dass sich die durch eine Schattenmaske wachsende Struktur in Wachstumsrichtung während des …
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Optical Properties of Colloidal II-VI and III-V Semiconductor Nanocrystals: Single Nanocrystal Photon Correlation Spectroscopy
… with the aim of filling education gaps and provide the colloidal NC community with a database of analytical tools that will encourage a wider audience to engage with photon correlation spectroscopy.
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