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Avances y limitaciones de la técnica de microscopia electrónica de transmisión-barrido con detección de electrones a alto ángulo para el análisis de nuevos nanomateriales con aplicaciones en eficiencia energética.

Baladés Ruiz, Nuria2018

… eficiencia basados en sistemas epitaxiales de heteroestructuras semiconductoras III-V. Los materiales semiconductores estudiados consisten en sistemas InAlAsSb-InP destinados al desarrollo de celdas solares ultra-eficientes con arquitectura multiunión, y en sistemas GaAsBi-GaAs para …

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Análisis tomográfico a nanoescala de materiales nanoestructurados para dispositivos fotovoltaicos

Hernández Saz, Jesús2016

… la caracterización estructural en 3D de heteroestructuras semiconductoras III-V por técnicas de tomografía electrónica (ET) y de tomografía de sonda atómica (APT). Así, se han analizado parámetros clave en el diseño de estas estructuras, como el apilamiento de QDs en estructuras de …

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Análisis de efectos de carga superficial en nanodispositivos semiconductores modelizados mediante simulaciones Monte Carlo

Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio2008

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