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Results
Showing 1 to 15 of 15 for “"Heteroestructuras"”.
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Contribución a la fabricación de heteroestructuras basadas en nitruros semiconductores para dispositivos más eficientes y baratos
… Ceramics, LTCC). Estos materiales forman heteroestructuras novedosas y de menor coste, ventajosas frente a las que usan otros substratos más caros y menos adecuados empleados más comúnmente. Se han utilizado diferentes técnicas de análisis para realizar una caracterización exhaustiva de …
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Estudio de la estructura de defectos y de la relajación plástica en heteroestructuras multicapas de InGaAs/GaAs
Las aleaciones de InxGa1-xAs presentan una serie de propiedades de gran interés para aplicaciones opto/micro electrónicas. Su alta movilidad electrónica y su anchura de banda prohibida en la ventana de transmisión de las fibras ópticas lo convierten en un candidato idóneo para dispositivos de …
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Aspectos estructurales, deformación y superficies en relación con la fiabilidad de transistores de alta movilidad electrónica basados en heteroestructuras de AlGaN/GaN
… la superficie, amplia y detallada, en múltiples heteroestructuras de AlGaN/GaN crecidas sobre sustratos diferentes (SiC, zafiro y silicio) por técnicas de crecimiento epitaxial similares (MBE y MOVPE). El conocimiento de la heteroestructura es fundamental para realizar simulaciones de los …
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Crecimiento por MBE, fabricación y caracterización de láseres de AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs (111B) para emisión óptica menor a 1 nanometro
… hace realtivamente poco tiempo, se centraba en heteroestructuras epitaxiadas sobre substratos GaAs (001). La principal razón de este hecho se basa en la relativa facilidad para obtener epitaxias de unas cualidades morfológicas, estructurales y ópticas adecuadas a las exigencias que requiere la …
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Efecto de la incorporación de antimonio sobre la nanoestructura de puntos cuánticos III-V/III-V
… que se utilizan, el desarrollo de heteroestructuras semiconductoras capaces de dar respuesta a estas necesidades se convierte en un gran reto. La incorporación de antimonio en nanoestructuras de semiconductores III-V supone una mejora en los valores de intensidad fotoluminiscente. …
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Avances y limitaciones de la técnica de microscopia electrónica de transmisión-barrido con detección de electrones a alto ángulo para el análisis de nuevos nanomateriales con aplicaciones en eficiencia energética.
… eficiencia basados en sistemas epitaxiales de heteroestructuras semiconductoras III-V. Los materiales semiconductores estudiados consisten en sistemas InAlAsSb-InP destinados al desarrollo de celdas solares ultra-eficientes con arquitectura multiunión, y en sistemas GaAsBi-GaAs para …
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Desarrollo y caracterización de sistemas bimetálicos con propiedades catalíticas para el tratamiento electroquímico de efluentes contaminantes
… sinérgico entre el Pd y el Sn en el caso de las heteroestructuras Au(hkl)/Pd-Sn y CV/Au/Pd-Sn.
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Crecimiento de capas dopadas tipo p de SiGe sobre Si mediante epitaxia en fase sólida para su aplicación en la fabricación de detectores de infrarrojo lejano
… fue obtenido amorfizando por implantación iónica heteroestructuras epitaxiales SiGe-Si no dopadas. Las muestras amorfizadas fueron dopadas tipo p mediante implantación iónica de B. El crecimiento epitaxial en fase sólida de capas dopadas y no dopadas se realizó a varias temperaturas en el …
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Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares
… La caracterización eléctrica de las heteroestructuras de AlGaN/GaN han confirmado la presencia de una canal de electrones bidimensional (2DEG) en la interfase, obteniéndose movilidades Hall de hasta 1021 y 3572 cm2/Vs a 300K y 77K, respectivamente, con una densidad de cargo de 1.8E13 …
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Análisis tomográfico a nanoescala de materiales nanoestructurados para dispositivos fotovoltaicos
… la caracterización estructural en 3D de heteroestructuras semiconductoras III-V por técnicas de tomografía electrónica (ET) y de tomografía de sonda atómica (APT). Así, se han analizado parámetros clave en el diseño de estas estructuras, como el apilamiento de QDs en estructuras de …
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Desarrollo de detectores de infrarrojo fotovoltaicos, de pozo cuántico y doble barrera, para la banda de 3-5 um
… de flujos V / III empleada en el crecimiento de heteroestructuras basadas en AlGaAs. En lo que se refiere al dispositivo, en primer lugar se realiza un estudio sobre cómo afectan los parámetros de diseño del QWIP al valor de la longitud de onda y ancho de banda de detección. En particular, …
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Desarrollo de materiales basados en bismuto con alta eficiencia fotocatalítica para aplicaciones de química verde
… en los capítulos posteriores. La preparación de heteroestructuras Bi2WO6/TiO2 con bajos contenidos de TiO2 por preparación sol-gel, se incluye igualmente en el Capítulo 4. Estos materiales reflejan un efecto positivo en la degradación de Rodamina B (RhB), por la adición de especies de Ti4+ que, …
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GaAs-based quantum well and quantum dot light-emitting diodes and lasers for 1.3 and 1.55 um emission
… paralelamente dos estrategias basadas en heteroestructuras semiconductoras, de modo que esta tesis está dividida en dos grandes bloques. Por un lado, el primer bloque estará dedicado al estudio de dispositivos basados en pozos cuánticos de GalnNAs/GaAs. Por otro lado, el segundo bloque se …