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Ultrakurze Laserpulse zur Charakterisierung von Halbleitergrenzflächen

Emmerichs, Hans-UlrichShaker1995

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Banddiskontinuitäten an III-V-Halbleitergrenzflächen : Verspannungsabhängigkeit und Einfluß von Zwischenschichten

Richard, Peter1996

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Elektronische Zustände in Typ-III-Halbleiterheterostrukturen

Latussek, VolkerUniversität Würzburg

… der quantisierten, elektronischen Zustände an Halbleitergrenzflächen, in Quantentrögen und Übergittern und der Einzigartigkeit, zur Berechnung der experimentellen Ergebnisse, die Abhängigkeit von äußeren Parametern, wie der Temperatur und des hydrostatischen Druckes, aber auch eines …

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Elektronische und chemische Eigenschaften von Grenzflächen und Oberflächen in optimierten Cu(In,Ga)(S,Se)2 Dünnschichtsolarzellen

Weinhardt, LotharUniversität Würzburg

In der vorliegenden Arbeit wurden Untersuchungen an Dünnschichtsolarzellen auf der Basis von Cu(In,Ga)(S,Se)2, der heute vielversprechendsten Dünnschichttechnologie, durchgeführt. Für eine weitere Optimierung der Zellen ist ein detailliertes Verständnis ihrer chemischen, elektronischen und …

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