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Results
Showing 1 to 1 of 1 for “"Hétérostructure AlGaN/GaN"”.
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Procédés de gravure à faible endommagement des surfaces : application à la gravure SiN sur AlGaN/GaN pour les transistors à haute mobilité électronique
Les semi-conducteurs en Nitrure de Gallium (GaN), constituent des matériaux prometteurs pour la fabrication de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) pour les prochaines générations de dispositifs de puissance, grâce à leurs propriétés physiques exceptionnelles adaptées aux applications à …