Global ETD Search

Wannier-Stark-Effekt in verspannten GaInAs(P)-Übergittern für optoelektronische Modulatoren

Opitz, BernhardShaker1996

aachen Repository record for Wannier-Stark-Effekt in verspannten GaInAs(P)-Übergittern für optoelektronische Modulatoren (opens in a new tab)

Potentialtöpfe und kurzperiodische Übergitter: GaInAs(P)InP-Heterostrukturen für Feldeffekttransistoren und elektrooptische Modulatoren

Kohl, AndreasShaker1996

aachen Repository record for Potentialtöpfe und kurzperiodische Übergitter: GaInAs(P)InP-Heterostrukturen für Feldeffekttransistoren und elektrooptische Modulatoren (opens in a new tab)

(GaIn)(AsP)- und (GaIn)(AsN)-Halbleiterheterostrukturen und ihre Anwendung in Diodenlasern

Serries, Dirk

… von langwelligen (> 2 µm) InP-basierenden GaInAsP- und GaInAsN-Halbleiterheterostrukturen und ihre Anwendung in Diodenlasern wird beschrieben. <br>Zur Herstellung der Strukturen kamen die Metall-Organische Gasphasenepitaxie und die Molekularstrahlepitaxie zum Einsatz. Anhand von …

freiburg-diss Repository record for (GaIn)(AsP)- und (GaIn)(AsN)-Halbleiterheterostrukturen und ihre Anwendung in Diodenlasern (opens in a new tab)

Leakage gate current in a heterostructure field effect transistor

Mahajan, Amit Ranbir

… a function of the gate voltage for the AlI-nAs/GaInAs and AlGaAs/GaAs based HIGFET structures. For the AlInAs/GaInAs system, the calculated leakage currents are within a factor of 10 of the experimental values for most of the voltage range of study. This is more accurate than the results …

unlv Repository record for Leakage gate current in a heterostructure field effect transistor (opens in a new tab)

Temperature -Invariant Photoluminescence and Gain Spectra of Strained Gallium -Indium -Arsenide Quantum Wires

Wohlert, David EliUniversity of Illinois at Urbana-Champaign2015

… 77 and 300 K has been derived for a SILO grown GaInAs QWR Fabry-Perot laser diode. The wavelength-shift rate of the gain spectra is &sim;1.4 A/&deg;C. These temperature stabilized gain spectra make the QWRs applicable to long-wavelength VCSELs. The temperature invariant gain spectra can be used …

uiuc Repository record for Temperature -Invariant Photoluminescence and Gain Spectra of Strained Gallium -Indium -Arsenide Quantum Wires (opens in a new tab)

Entwurf und Charakterisierung von Quantenkaskadenlasern

Mann, Christian

… dem Entwurf und der <br>Charakterisierung von GaInAs/AlInAs/InP-basierten Quantenkaskadenlasern. <br>Insbesondere wurde der Fragestellung nachgegangen, welche grundlegenden <br>physikalischen Mechanismen die Lasertätigkeit dieser unipolaren Bauelemente zu <br>kleinen Emissionswellenlängen hin …

freiburg-diss Repository record for Entwurf und Charakterisierung von Quantenkaskadenlasern (opens in a new tab)

Generalized detailed balance theory of solar cells

Kirchartz, ThomasPublikationsserver der RWTH Aachen University2009

… of crystalline silicon, Cu(In,Ga)Se2 and GaInP/GaInAs/Ge triple cells were carried out and interpreted with the help of the reciprocity theorem. In case of crystalline silicon, the focus was on the investigation of recombination and light trapping with spectrally and spatially resolved EL. First …

aachen Repository record for Generalized detailed balance theory of solar cells (opens in a new tab)