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Results
Showing 1 to 8 of 8 for “"Elektronische Eigenschaften"”.
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Magnetische und elektronische Eigenschaften von Übergangsmetalloxid-Nanostrukturen
… bzw. EELS-Messungen wurden magnetische und elektronische Eigenschaften verschiedener Nanoverbindungen untersucht. Zur weiteren Charakterisierung der Proben wurden außerdem Magnetisierungsmessungen (VSM, Pulsfeld), optische Spektroskopie, AC-Suszeptibilitätsmessungen, Messungen der …
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Struktur und elektronische Eigenschaften geordneter binärer Dünnschichtverbindungen Seltener Erden mit Übergangsmetallen
… Ni sowie der Untersuchung ihrer kristallinen und elektronischen Struktur. Die Präparation der typischerweise 10 nm starken Dünnschichten erfolgte in-situ durch Aufdampfen der Seltenerdmetalle auf einkristalline Übergangsmetallsubstrate oder alternativ durch Kodeposition der Konstituenten auf einen …
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Koordinationschemische Untersuchungen zur syndiotaktischen Polymerisation von Styrol
… von denen bekannt ist, dass diese sterische und elektronische Eigenschaften besitzen, die mit Metallocenderivaten vergleichbar sind. In einem weiteren Teilbereich wurden Mono-eta5-octahydrofluorenyltitankomplexe funktionalisiert und die Änderungen katalytischen Verhalten untersucht. Im Rahmen …
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Synthesis and Properties of Transition Metal Complexes of new 3,7-Diazabicyclo[3.3.1]nonane Derivatives
… und Eisen(II) komplexe zu synthetisieren, wo die Elektronische Eigenschaften des Metallzentrums (Redoxpotentiale) modifiziert werden könnten, so dass eine neue Familie effektive und stabile Katalysatoren für die Aziridinierung von Olefine mit PhINTS als Nitrenquelle, beziehungsweise für die …
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Phononenprozesse und Ladungsträgerdynamik in Halbleitern
Es werden phononische und elektronische Eigenschaften von Halbleitern mit Hilfe der Terahertz Time-Domain Spectroscopy (THz-TDS) experimentell untersucht. Der dabei gemessene Brechungsindex und Absorptionskoeffzient im Ferninfrarotbereich ist sowohl mit der Kristalldynamik als auch mit der …
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Linear optical properties of III-nitride semiconductors between 3 and 30eV
Es werden die linear optischen Eigenschaften von Gruppe-III-Nitrid Halbleitern zwischen 3 und 30eV gemessen sowie die strukturellen und elektronischen Hintergründe diskutiert. Untersucht werden dazu Galliumnitrid (GaN), Indiumnitrid (InN) und Aluminiumnitrid (AlN) sowohl in der stabilen hexagonalen …
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Density-functional theory and beyond for organic electronic materials
… erzeugende, kostengünstige sowie biegbare (opto-)elektronische Bauteile zu entwickeln. Allerdings öffnet die Anwendung der Dichtefunktionaltheorie (DFT) mit herkömmlichen semilokalen oder Hybrid-Näherungen zum Austausch-Korrelations-(XC)-Funktional in der relavanten Materialklasse die Büchse der …
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Electronic properties of metal-organic and organic-organic interfaces studied by photoemission and photoabsorption spectroscopy
In this work systematic studies of the organic semiconductor CuPc have been presented. In general the investigation can be devided in three parts. In the first one we have studied the electronic structure of clean CuPc thin film. The next two parts are devoted to organic-organic and metal–organic …