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Results
Showing 1 to 20 of 29 for “"Dotierung"”.
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Dotierung von amorphen Kohlenwasserstoffschichten
In einer rechnergesteuerten PECVD-Anlage sind Schichten aus a-C:H bei Variation der zugesetzten Dotiergase wie auch der Selfbiasspannung hergestellt worden. Durch beide Variationen kann die Leitfähigkeit bei Raumtemperatur im Bereich zwischen 10 -12 und 10 -3 1/Omegacm gesteigert werden. Streng …
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Magnetische und elektronische Eigenschaften von Übergangsmetalloxid-Nanostrukturen
… V-O-Ebenen zugeschrieben werden. Durch Dotierung mit Alkalimetallen ist es möglich, die V 3d-Niveaus mit zusätzlichen Elektronen zu besetzen und dadurch die Vanadiumvalenz zu beeinflussen (V5+ -> V4+ -> V3+). Die dabei auftretenden stärkeren Coulombabstoßungen zwischen den V …
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Oberflächenanalytische Untersuchungen von Segregationseffekten an dotierten oxidischen Feinstpulvern und Einkristallen
… Die Abhängigkeit der Eigenschaften von der Dotierungsart und der Dotierungskonzentration wurde untersucht. Die Dotierung mit fünfwertigen Elementen (Sb, Nb) führt zur Erniedrigung des spezifischen elektrischen Widerstandes und die Dotierung mit dreiwertigen Elementen (z.B. In) zu seiner …
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Molekulare Systeme im Wechselspiel von Struktur und Ladung
… Moleküle und der gegebenenfalls hinzugefügten Dotierung auf die messbaren Eigenschaften untersucht. Wie wichtig dabei die Feinabstimmung zwischen den Gitterkonstanten des Substrats und der Ausdehnung der Moleküle ist, äußert sich in schmalen Absorptions- und Emissionsbanden im Falle …
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Beleuchtungsabhängiger Ladungstransport durch tiefe kompensierende Störstellen in CdTe- und Cu(In,Ga)Se 2 -Solarzellen
… Diese Modelle basieren auf der Kompensation der Dotierung des CdS bzw. CdTe durch tiefe Störzellen. Die Modelle wurden simuliert und mit gemessenen Daten verglichen.
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Triphenylamine based semiconducting polymers for organic/hybrid photovoltaics and sensors
… des Ladungsträgertransports, des Einflusses von Dotierung und der Anwendung in organischen/Hybrid-Solarzellen und Sensoren. Das spezifische Design der TPD- und TPA-Hauptkettenpolymere ermöglicht die Nutzung dieser Materialklasse als namhafte Lochtransportmaterialien für neue Anwendungen wie den …
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Molekularstrahlepitaxie und Charakterisierung von (Ga,Mn)As Halbleiterschichten
… werden. Aufgrund der erfolgreichen p-Dotierung von LT-GaAs:C wurden (Ga,Mn)As-Einzelschichten zusätzlich mit Kohlenstoff p-dotiert. Abhängig von den Wachstumsbedingungen konnte eine Erhöhung der Ladungsträgerkonzentration im Vergleich zu den (Ga,Mn)As-Schichten erreicht werden. …
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Electronic Properties of Transition Metal Doped Silicon Clusters
… Titan und Chrom als Dotieratom zeigen, dass die Dotierung einen größeren Einfluss auf die Struktur des Käfigs hat als auf die lokale elektronische Struktur des Übergangsmetallatoms. Des Weiteren konnte die größenabhängige Änderung der Lokalisierung von Valenzelektronen näher bestimmt werden. Der …
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Magnetooptische Untersuchungen an Halbleitersystemen mit reduzierter Dimensionalität
… Einfluss einer Vielzahl von Probenparametern wie Dotierung und Zusammensetzung der Quantenpunkte sowie des Matrixmaterials auf die Elektronenspinlebenszeit untersucht. Grundlegende Analysen werden an dem ternären IV-VI Materialsystem PbSeTe durchgeführt. Bei der Entstehung von PbSe Quantenpunkten …
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Mikrowellenplasma-Simulation, Abscheidung und Charakterisierung von polykristallinen, dotierten und undotierten Diamantschichten
… CVD-Diamantproben mit leichter bis starker Bor-Dotierung vorgenommen. Dass substitutionell eingebaute Bor-Atome als Punktdefekte Einfluss auf die Wärmeleitfähigkeit haben, wird durch temperaturabhängige Wärmeleitfähigkeitsmessungen belegt. Absorptionsmessungen an gelbem DCAJ- bzw. bräunlichem …
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Nachweis der elektrischen Spin-Injektion in II-VI-Halbleiter mittels Messung des elektrischen Widerstandes
… "Large Magnetoresistance" Effektes von der Dotierung der beteiligten Halbleiter zeigt hingegen ein komplexeres Bild auf. Es scheint ein optimales Dotierregime, sowohl für den DMS als auch für den NMS zu geben. Höhere oder geringere Dotierung reduzieren die relative Größe des positiven …
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Laserstrahlverfahren zur Fertigung kristalliner Silizium-Solarzellen
… nachgewiesen werden, dass eine Aluminium p+ - Dotierung in der Kontaktzone erzielt wird. Diese p+ - Dotierung führt zur Ausbildung eines lokalen Aluminium Rückseitenfeldes (L-Al-BSF), wodurch der Kontaktwiderstand reduziert wird. Zusätzlich wird durch das L-Al-BSF die effektive …
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Die Fermifläche des Kupratsupraleiters Bi2Sr2CaCu2O8+[delta] : Ergebnisse der winkelaufgelösten Photoemissionsspektroskopie
… ihre lochartige Topologie über einen großen Dotierungsbereich nahe optimaler Dotierung. 4) Erste hochaufgelöste ARPES-Messungen des Zirkulardichroismus wurden an (Pb,Bi)2212 durchgeführt. In der verwendeten nicht-chiralen Messanordnung wird ein CDAD (Circular Dichroism in the Angular …
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Der Einfluss zusätzlicher Fallenzustände auf die Transporteigenschaften niedermolekularer Lochleiter und Hybrid-Solarzellen
… Multiple-Trapping-Modell nicht erfüllt ist. Bei Dotierung mit tiefen Fallen (NTDATA) wurde mit zunehmender Konzentration ein Übergang von dispersivem zu nicht-dispersivem Ladungsträgertransport beobachtet, wobei sich auch das Verhalten der Steigungswerte im Vor- und Nachtransitbereich der …
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Über Eisensilicide: Züchtung von ß-FeSi2-Einkristallen durch chemischen Transport, strukturelle und physikalische Charakterisierung
… Zudem sollte untersucht werden, ob Dotierungen mit Übergangsmetallen gemäß Fe1-xMxSi2 möglich sind. <br>Die Herstellung von Einkristallen erfolgte über chemischen Transport. Als optimale Bedingungen wurden die Verwendung von Iod als Transportmittel bei einem Ioddruck von 4 bar und …
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Ladungsanregungen im ungeordneten t-t’-t”-J-Modell
… Wie Bandstrukturrechnungen zeigen, ruft die Dotierung der elektronendotierten Substanz gerade einen solchen Zufallsterm hervor. Dies wurde in der bisherigen Literatur meist vernachlässigt. Bei der Übertragung der Bandstrukturergebnisse in die Modellparameter des t-t′-t′′-J-Modells zeigt sich, …
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Spektroskopische Untersuchungen (TRLFS und XAFS) zur Wechselwirkung von dreiwertigen Lanthaniden und Actiniden mit der Mineralphase Calcit
… bei T £ 18 K zeigen zudem, dass bei der Dotierung des Calcits unterscheidbare „Sites“ entstehen, die auf Gitterverzerrungen oder Umstrukturierungen um das Fremdion zurückzuführen sind, welche eventuell durch ladungsausgleichende Mechanismen in der Umgebung von Fremdion bedingt sind.
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Magnetic coupling in (GaMn)As ferromagnetic semiconductors – studied by soft x-ray spectroscopy
Durch die Dotierung von Gallium Arsenid mit Mangan werden lokale magnetische Momente implantiert und gleichzeitig Ladungsträger (Valenzband Löcher) erzeugt, welche eine langreichweitige ferromagnetische Kopplung zwischen den einzelnen Mangan Ionen herstellen können. In dieser Arbeit wurde die …
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Electronic Properties of ALD Zinc Oxide Interfaces and its Implication for Chalcopyrite Absorber Materials
… ZnO zeigt üblicherweise eine starke n-Dotierung, hervorgerufen durch intrinsische Punktdefekte, sowie von Wasserstoff-Zwischengitteratomen. Um den Wasserstoff-Anteil im ZnO zu reduzieren wurde ein alternativer Sauerstoff-Lieferant zum H2O benutzt und der erfolgreiche ALD Prozess …
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XANES und MEXAFS an magnetischen Übergangsmetalloxiden : Entwicklung eines digitalen Lock-In-XMCD-Experiments mit Phasenschieber
… zum Mn-Untergitter. Durch die Neodym-Dotierung am La/Sr-Platz im Kristall ist die ferromagnetische Kopplung der Doppellagen untereinander abge-schwächt und die Rückkehr in die antiferromagnetische Phase nach dem Abschalten des äußeren Magnetfeldes damit erleichtert. Das Mn-Bahnmoment …
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