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Showing 1 to 1 of 1 for “"Doped Areas"”.
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Quantitative Messung von Dotiergebieten in FIB-präparierten Silizium-Halbleiterbauelementen mittels Elektronenholographie
Das Einbringen von Dotierstoffen in das Substratmaterial ist einer der wichtigsten Teilprozesse in der Halbleiterindustrie. Größe, Lage und Konzentration elektrisch aktiver Dotiergebiete bestimmen wesentlich die Eigenschaften der mikroelektronischen Basisbauelemente und damit die Funktionalität der …