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Showing 1 to 1 of 1 for “"Croissances épitaxiales"”.
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Croissance de Ge/Si et investigation de la contrainte thermique dans un substrat virtuel à base de nano-cavités
L’intégration des matériaux III-V sur silicium (Si), est une voie prometteuse de développement des composants optoélectroniques III-V à hautes performances et à faible coût. Cependant les différences entre les propriétés intrinsèques des matériaux III-V et le Si (paramètre de maille, différence de …