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Results
Showing 1 to 1 of 1 for “"Composants à effet de champ latéral (IPGFET)"”.
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Fabrication, simulation et caractérisation des propriétés de transport de composants à effet de champ latéral sur substrat de soi (Silicon-on-insulator)
À la base de l’évolution de la technologie microélectronique actuelle, la réduction des dimensions critiques des MOSFET standards pour améliorer leurs performances électriques a atteint depuis quelques années ses limites physiques. L’utilisation de nanocomposants innovateurs ayant une configuration …