Global ETD Search
Search theses and dissertations gathered from participating repositories worldwide. Every result links back to the library that holds it. No account is needed.
Results
Showing 1 to 11 of 11 for “"Carburo di Silicio"”.
-
Silicon Carbide sensors for the detection of Charged Particles and X-Rays [Sensori in Carburo di Silicio per la Rilevazione di Particelle Cariche e Raggi X]
La rilevazione della radiazione ionizzante è di fondamentale importanza in molti ambiti scientifici e tecnologici, tra cui la fisica nucleare e la medicina. I recenti progressi nella fisica dello stato solido hanno posto le basi per lo sviluppo di rivelatori a stato solido per radiazione …
-
Photocatalytic sustainable processes for the H2 production by photoreforming of green organic substrates [Processo fotocatalitico sostenibile per la produzione di H2 dal fotoreforming di substrati organici green]
Nel XXI secolo, la crescente domanda di energia, possibilmente prodotta con fonti rinnovabili, ha reso necessario trovare fonti energetiche alternative all'uso dei combustibili fossili. In particolare, l'energia prodotta da fonti non rinnovabili ha causato gravi problemi ambientali, soprattutto un …
-
Graphene Heterostructures with Wide Bandgap Semiconductors
Il Grafene (Gr) è un materiale bidimensionale costituito da una membrana carboniosa di spessore atomico, caratterizzata da una peculiare combinazione di eccellenti proprietà elettriche, ottiche, termiche e meccaniche. La sua principale limitazione per applicazioni nell'ambito della …
-
Comprehensive Analysis of Proton Irradiation Effects on 4H-SiC Power Devices: Characterization, Simulation, and Optimization for Enhanced Performance [Analisi completa degli effetti dell'irradiazione protonica sui dispositivi di potenza in 4H-SiC: caratterizzazione, simulazione e ottimizzazione per migliorarne le prestazioni]
Lo sviluppo dei materiali e dei dispositivi basati sui semiconduttori ha determinato significativi progressi tecnologici nel corso dell'ultimo secolo. Recentemente, la richiesta di nuove capacità di funzionamento nei dispositivi elettronici, come la flessibilità e il lavoro ad alte temperature, …
-
Dielettrici high-κ Al-based per 4H-SiC tramite Atomic Layer Deposition
Il carburo di silicio 4H (4H-SiC) è un semiconduttore ad ampio band gap che attira sempre maggiore attenzione per applicazioni in dispositivi elettronici ad elevata potenza o operanti ad alte temperature. In particolare, i metal-oxide-semiconductor field-effect transistors ottenuti su 4H-SiC …
-
Studio multiscala degli stati elettronici e di spin indotti da difetti di punto in semiconduttori a banda larga e prospettive per le tecnologie quantistiche
Il nostro obiettivo principale è l'analisi dei difetti di punto nei semiconduttori a larga banda. Li studiamo dapprima da principi primi attraverso l'uso di metodi ab initio basati sulla teoria del funzionale densità, quindi utilizziamo altri mezzi di analisi per trovare possibili applicazioni …
-
Eterostrutture di Disolfuro di Molibdeno: preparazione e trasporto elettronico
Il Disolfuro di Molibdeno (2H-MoS2) è il materiale semiconduttore più investigato della famiglia dei Dicalcogenuri dei Metalli di Transizione (TMDs). Esso è caratterizzato da forti legami nel piano fra gli atomi di Mo e S e deboli interazioni van der Waals (vdW) fra gli strati separati di cui il …
-
Metalizzazione su superfici di SiC: Contatti ohmici di Nisu 4H-SiC tramite processi laser
… dei contatti ohmici sul lato posteriore dei dispositivi di SiC è particolarmente importante poiché una barriera ad alto potenziale tende a formarsi all'interfaccia tra la maggior parte dei metalli e il SiC. Ciò si traduce in un basso trasporto di corrente, una bassa velocità di …
-
Advanced characterization of 4H-SiC MOSFET channel [Caratterizzazione avanzata del canale 4H-SiC MOSFET]
Lo sviluppo di MOSFET di potenza ad alte prestazioni in carburo di silicio (SiC) rappresenta un passo fondamentale per l'avanzamento della moderna elettronica di potenza. Grazie all'ampio bandgap, all'elevata conducibilità termica e all'alto campo elettrico, il 4H-SiC è emerso come materiale …
-
Dispositivi di Potenza Innovativi in Si, SiC e GaN: Modelli, Caratterizzazione e Aspetti Applicativi
I dispositivi di potenza a semiconduttore si stanno sempre più diffondendo, a causa delle nuove applicazioni nell’ambito delle energie rinnovabili e nei veicoli elettrici. L’esigenza di approfondire gli studi su questi argomenti è suggerita e stimolata anche dalla recente disponibilità dei nuovi …
-
WBG-based Current Source Inverter for Motor Drive Application [Inverter a Corrente Impressa con dispositivi WBG per azionamenti elettrici]
… dell'utilizzo degli inverter a sorgente di corrente (CSI) nelle applicazioni di azionamento dei motori. Il principio di funzionamento del CSI viene inizialmente discusso attraverso un modello analitico, insieme a un'analisi delle transizioni di commutazione e del processo di commutazione. …