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Results
Showing 1 to 18 of 18 for “"Bandlücke"”.
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Strategien zur Optimierung organischer Solarzellen: Dotierte Transportschichten und neuartige Oligothiophene mit reduzierter Bandlücke
… der Thiophenderivate abgesenkt und die optische Bandlücke verringert. Das Thiophenderivat DCV3T fungiert in Kombination mit herkömmlichen Donator-Materialien als Akzeptor. In Mischschichten aus DCV3T und C60 kommt es durch einen Hin- und Rücktransfer der Anregungsenergie zwischen den Materialien …
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Über die Natur der niederenergetischen Anregungen in amorphem Arsensulfid
… Energie (890 nm), was etwa der Hälfte der Bandlücke des amorphen Halbleiters entspricht, wurde nicht beobachtet. Die gemessenen Daten werden im Rahmen des sogenannten Modells der weichen Potentiale diskutiert. Aufgrund der Ergebnisse kann ein Zusammenhang der niederenergetischen Anregungen …
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Persistente Photoleitfähigkeit indünnen GaN- und AlGaN-Schichten
… sich GaN bei Beleuchtung mit Licht unterhalb Bandlückenenergie. die elektrische Leitfähigkeit steigt unter an bleibt nach Beendigung Lichtanregung extrem lange Zeiten bestehen. optische Anregbarkeit Subbandgap-Licht langen sind ein Hinweis auf tiefe metastabile Defekte Bandlücke von Ziel …
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Dotierung von amorphen Kohlenwasserstoffschichten
… und reziprok dazu verhält sich die optische Bandlücke im Bereich 0,6 bis 1,6 eV. NMR-Messungen zeigen, daß die Steigerung der elektrischen Leitfähigkeit mit einer Steigerung des sp 2 nH -Anteils in den Schichten einher geht. Dies steht in Übereinstimmung mit dem Strukturmodell: die Steigerung …
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Elektronische und chemische Eigenschaften von Grenzflächen und Oberflächen in optimierten Cu(In,Ga)(S,Se)2 Dünnschichtsolarzellen
… Grenzflächen durchzuführen als auch Oberflächenbandlücken zu bestimmen. Die Messungen wurden durch die volumenempfindliche Röntgenemissionsspektroskopie ideal ergänzt, die - wie diese Arbeit zeigt - zusammen mit der Photoelektronenspektroskopie besonders nützlich bei der Analyse des …
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Thermal Transport in Strongly Correlated Rare-Earth Intermetallic Compounds
… ohne Nullstellen im der supraleitenden Bandlücke. Die Abhängigkeit der Wärmeleitfähigkeit vom Feldwinkel zeigt unerwartet umfangreiche Oszillationsmuster. Während solche Oszillationen oft als Zeichen von Nullstellen in der Bandlücke interpretiert werden, konnten wir die meisten …
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Preparation and characterization of CdS nanoparticles
… konnte beobachtet werden, dass die elektronische Bandlücke größer ist als die optische Bandlücke. Bei den PES-Messungen wurden einige wichtige Einflüsse sichtbar. So spielen strahlenbedingte Effekte eine große Rolle. Kenntnisse über die Zeitskala solcher Effekte ermöglichen PES-Aufnahmen mit guter …
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Spin polarization, circular dichroism, and robustness of topological surface states
… Inneren verbinden. An der Ober äche ist also die Bandlücke, welche die isolierende Eigenschaft verursacht, geschlossen. Die vorliegende Arbeit untersucht diese Ober ächenzustände mittels spin- und winkelauf- gelöster Photoemissionsspektroskopie. Es wird gezeigt, dass in den Materialien Bi2Se3 und …
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Von Gold Plasmonen und Exzitonen : Synthese, Charakterisierung und Applikationen von Gold Nanopartikeln
… aufgrund diskreter Energieniveaus und einer Bandlücke Photolumineszenz (PL). Die synthetisierten Gold QDs besitzen eine Breitbandlumineszenz im Bereich von ~ 500-800 nm, wobei die Lumineszenz-eigenschaften (Emissionspeak, Quantenausbeute, Lebenszeiten) stark von den Herstellungs-bedingungen …
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Carbon Nanotube Devices
… Nanoröhren und Nanoröhren mit einer kleinen Bandlücke beobachtet wurden.
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Hybride Dünnschicht-Solarzellen aus mesoporösem Titandioxid und konjugierten Polymeren
… spektralen Bereich Licht absorbieren und an die Bandlücke des TiO2 angepasst sind. Hierzu wurden einige neuartige Konzepte, z.B. die Kombination von Thiophen- und Phenyl-Einheiten näher untersucht. Auch wurde die Sensibilisierung der Titandioxidschicht in Anlehnung an die höheren Effizienzen der …
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Localised states in organic semiconductors and their detection
… Auftreten lokalisierter Zustände innerhalb der Bandlücke hat besondere Bedeutung für ihre elektronischen Eigenschaften. Sowohl die Präsenz dieser flachen traps (Fallen, Löcher) als auch der Einfluß der Herstellungsbedingungen auf die tiefen und flachen lokalisierten Zustände wurden bisher nicht …
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Magnetooptische Untersuchungen an ferromagnetischen III-V-Halbleitern
… III-Mn-V-Halbleiter - ob mit kleiner oder großer Bandlücke - gute Ergebnisse liefert.
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The influence of conformational order on the excited state of organic semiconductors
… aufgrund seiner geringen optischen Bandlücke benutzt wird. Die geringe optische Bandlücke sorgt für eine verbesserte spektrale Übereinstimmung des Sonnenspektrums mit dem Absorptionsspektrum des Polymeres, woraus sich hohe Energieeffizienzen in Solarzellen ergeben. Die …
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Structure-Property Correlation as a Function of Donor and Acceptor Arrangement in Low Band Gap Materials
Materialien mit kleiner Bandlücke (LBG) sind von hohem Interesse, da sie vielversprechende Eigenschaften aufweisen, die zur Anwendung in opto-elektronischen Bauteilen, wie zum Beispiel Feldeffekttransistoren, organischen Leuchtdioden oder Solarzellen von Nöten sind. Eine erfolgreiche Strategie um …
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Optische und mechanische Untersuchungen an cholesterischen Elastomerfilmen
… biaxialer Deformation untersucht. Die optische Bandlücke verschiebt sich bei biaxialer Deformation proportional zur reduzierten Dicke in Richtung kürzerer Wellenlängen. Dabei bleibt die Form der Reflexionsbande während der gesamten Deformation erhalten. Das bedeutet, dass die cholesterische …
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Geometrische Struktur und Morphologie epitaktisch gewachsener ZnSe-Schichtsysteme
… II-VI Halbleiter ZnSe war wegen seiner großen Bandlücke und seiner geringen Versetzungsdichte einer der größten Hoffnungsträger, blau emittierende Laserdioden zu realisieren. Wie sich später zeigte, weisen ZnSe-basierte blaue Laserdioden aber binnen kurzer Zeit eine ausgeprägte Degradation …
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Ultraschnelle optoelektronische und Materialeigenschaften von Stickstoff-haltigem GaAs
This work summarizes properties of nitrogen containing GaAs, which are relevant for optoelectronic application and allow a deeper insight in the physics of this material. In the first part the dependence of the banggap energy of nitrogen implanted GaAs on several process parameters (implanted …