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Showing 1 to 1 of 1 for “"Attachement dissociatif de l'électron"”.
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Protection des ions organiques contre les dommages induits à l'ADN par les électrons de basse énergie
Il a été démontré que les électrons de basse énergie (EBE) peuvent induire des cassures simple brin (CSB) à l'ADN, via la formation d'anions transitoires qui décroissent par attachement dissociatif, ou dans d'autres états électroniques dissociatifs menant à la fragmentation. Afin d'effectuer une …