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Results
Showing 1 to 3 of 3 for “"Arséniure de gallium"”.
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Mesure et modélisation du bruit dans les transistors en nitrure de gallium
Le nitrure de gallium est bien placé pour devenir le matériau de choix pour les circuits intégrés hyperfréquences dans les années à venir. Ses excellentes performances dans des environnements à haute puissance et à fort rayonnement sont bien connues. Cependant, les propriétés du bruit du nitrure de …
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Effets de l'irradiation sur l'arséniure de gallium dopé au silicium de type n : observation optique de la lacune de gallium
Dans ce travail, nous présentons l'étude de l'effet de l'irradiation sur l'arséniure de gallium (GaAs) en fonction de la nature et de l'énergie de la particule irradiante. A cette fin, nous avons irradié des échantillons de GaAs dopé au silicium de type n obtenus par la méthode d'épitaxie en phase …
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Modélisation du comportement non-linéaire de transistors hyperfréquences avec polynômes multivariées optimisés par essaims particulaires
"Considérant les coûts élevés des processus de fabrication modernes, la simulation est une étape indispensable à la conception de circuits intégrés à base de semiconducteurs. L’exactitude des résultats de simulation dépend directement de l’exactitude des modèles mathématiques de chaque …