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Results
Showing 1 to 10 of 10 for “"Aluminiumnitrid"”.
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Linear optical properties of III-nitride semiconductors between 3 and 30eV
… dazu Galliumnitrid (GaN), Indiumnitrid (InN) und Aluminiumnitrid (AlN) sowohl in der stabilen hexagonalen Wurtzit-Kristallstruktur als auch in der metastabilen kubischen Zinkblende-Kristallstruktur. Diesen Materialien gilt seit einigen Jahren ein enormes wissenschaftliches und industrielles …
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Synthese von Metallnitrid- und Metalloxinitridnanopartikeln für energierelevante Anwendungen
… der einfachen Synthese von Mangannitrid-, Aluminiumnitrid-, Lithiummangansilicat-, Zirkonium-oxinitrid- und Mangancarbonatnanopartikel betrachtet werden. Dabei werden die sogenannte Harnstoff-Glas-Route als eine Festphasensynthese und die Solvothermalsynthese als typische …
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Entwicklung von Silizium-Mikrostreifen-Detektormodulen für den ATLAS Semiconductor Tracker
… zwischen Auslese-ASICs und dem Kohlefaserkern Aluminiumnitrid-Plättchen verwendet. <br>Ein Modell für das Rauschverhalten eines Auslesekanals wurde erstellt. Zu den Hauptrauschquellen zählt der Eingangstransistor des Vorverstärkers. Das thermische Rauschen des Basiswiderstands und das …
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Analyse struktureller Defekte in kristallinen Schichten
… sowohl von Diamant-, als auch von Aluminiumnitridschichten verwendet. Die Idee ist, mit Channelinguntersuchungen eine Defektanalyse der jeweiligen Materialien von der Oberfläche bis zum Übergang ins Substrat durchzuführen. Die Schwerpunkte liegen dabei auf der Analyse von …
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Fabrication and characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
The task of this work was to fabricate and characterize AlGaN/GaN HEMTs on sapphire and silicon substrates. For this reason the HEMT fabrication technology had to be developed and optimized on AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire and silicon substrates. The optimization of AlGaN/GaN …
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AlGaN/GaN MBE 2DEG heterostructures : interplay between surface-, interface- and device-properties
Due to their wide band gap and high bond strength, the III-N semiconductors can be used for violet, blue and green light emitting devices as well as for high temperature and high power transistors. In comparison to conventional AlGaAs/GaAs heterostructures the AlGaN/GaN material system offers new …
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Einfluss der Schichteigenschaften auf das elektrische und optoelektrische Verhalten von AlGaN-GaN-HEMT-Transistoren
The mismatch of the lattice constants and of the thermal expansion coefficients between gallium nitride (GaN) and its substrates like sapphire, silicon and silicon carbide is responsible for a high concentration of defects in AlGaN/GaN layers. The influence of these electrically active centres …
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Untersuchungen zum Betriebsverhalten temperaturregelbarer OFW-Gassensoren
Generally Surface Acoustic Wave (SAW) gas sensors are based on piezoelectric crystals like silicon oxide or lithium niobate and are often manufactured with a complicated technology. In order to reach high temperature stability, special crystal cuts are used. These cuts often show a small …
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Design and development of radiation-resistant and low-noise semiconductor transistors for applications in high frequency communication systems
In the frame of this work, the fundamental properties of GaN/AlGaN HEMT structures have been investigated in order to optimize their performance in high power microwave devices. A number of properties have been studied, starting from DC transport properties in bare 2DEG channels up to investigation …