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(GaIn)(AsP)- und (GaIn)(AsN)-Halbleiterheterostrukturen und ihre Anwendung in Diodenlasern
Die Entwicklung, Herstellung und Charakterisierung von langwelligen (> 2 µm) InP-basierenden GaInAsP- und GaInAsN-Halbleiterheterostrukturen und ihre Anwendung in Diodenlasern wird beschrieben. <br>Zur Herstellung der Strukturen kamen die Metall-Organische Gasphasenepitaxie und die …