Modelado de estructuras Schottky y de transistores MOSFET con contactos de fuente y drenador metálicos para aplicaciones de alta frecuencia

[ES] Esta tesis trata del ampliar el estudio de los dispositivos de la familia MOSFET de Silicio, abordando la investigación de estructuras alternativas de gran importancia para el futuro de la microelectrónica a corto y medio plazo, como son los transistores MOSFET de barrera Schottky, mediante el desarrollo y utilización de simuladores Monte Carlo.

Author

• Pascual Corral, Elena

• Tesis y disertaciones académicas
• Universidad de Salamanca (España)
• Academic dissertations
• Electrónica
• Electronics
• Microelectrónica
• Transistores Mosfet
• Metal oxide semiconductor field-effect transistors

Identifier

hdl:10366/76510

OAI identifier oai:identifier

oai:gredos.usal.es:10366/76510