Mesure et modélisation du bruit dans les transistors en nitrure de gallium

Le nitrure de gallium est bien placé pour devenir le matériau de choix pour les circuits intégrés hyperfréquences dans les années à venir. Ses excellentes performances dans des environnements à haute puissance et à fort rayonnement sont bien connues. Cependant, les propriétés du bruit du nitrure de gallium ont reçu beaucoup moins d'attention de la part des chercheurs. Les causes du bruit dans les transistors au nitrure de gallium diffèrent de celles d'autres matériaux, tels que l'arséniure de gallium, principalement en raison des courants de fuite de grille. Bien que les fuites de grille ne soient pas une préoccupation majeure pour les autres technologies, elles constituent une source majeure de bruit pour les dispositifs au nitrure de gallium. Dans cette thèse, les transistors de deux fonderies sont étudiés afin de caractériser le bruit ajouté à un système de communication. Pour les transistors d'une fonderie, des dispositifs au nitrure de gallium ont été montés dans des montages d'essai pour faciliter la mesure, et un modèle descriptif a été utilisé pour déterminer leurs propriétés de bruit. Pour l'autre fonderie, les transistors ont été mesurés directement et un modèle de bruit prédictif basé sur un modèle de transistor a été appliqué et comparé aux résultats mesurés. Lors de l'analyse du bruit des transistors, un nouveau résultat concernant le bruit du nitrure de gallium a été découvert. Il semble que le facteur de bruit optimal d'un dispositif au nitrure de gallium puisse être trouvé pour des densités de courant d'environ 0,3 mA/μm. Ce résultat semble être valable quelle que soit la taille du transistor.

Name thesis:degree_name

Maîtrise ès sciences appliquées

Level thesis:degree_level

2e cycle

Discipline thesis:degree_discipline

Faculté d'ingénierie

Grantor dc:publisher

Université de Moncton

Year dc:date.issued

2010

Author dc:creator

• Ross, Tyler Neil

Advisor dc:contributor.advisor

• Cormier, Gabriel

• Transistors hyperfréquences
• Bruit
• Bruit électronique
• Mesure
• Transistors
• Nitrure de gallium

Statement dc:rights

• Author

Language dc:language.iso

iso639-2b, fre

Identifier

oclc: 792881898

Dc Identifier Other

umir:1519

OAI identifier oai:identifier

oai:umoncton.scholaris.ca:20.500.14658/6792