Entwicklung und Charakterisierung vertikaler Silizium-Feldeffekttransistoren auf der Basis selektiver Epitaxie

Moers, Jürgen

Back to search

Forschungszentrum, Zentralbibliothek

Entwicklung und Charakterisierung vertikaler Silizium-Feldeffekttransistoren auf der Basis selektiver Epitaxie

dc:creator Moers, Jürgen

dc:date1998

Degree

thesis:*

Grantor dc:publisher: Forschungszentrum, Zentralbibliothek
Year dc:date: 1998

Author and committee

dc:creator, dc:contributor.*

Author dc:creator: Moers, Jürgen

Rights

dc:rights

Statement dc:rights: info:eu-repo/semantics/openAccess
Language dc:language: ger

Identifiers

dc:identifier.*

Identifier: https://publications.rwth-aachen.de/search?p=id:%22RWTH-CONV-119401%22
OAI identifier oai:identifier: oai:publications.rwth-aachen.de:57347

Chain of custody

source

Harvested from: RWTH Aachen University
Base URL: publications.rwth-aachen.de/oai2d
Last updated: 2026-07-30
Source record: OAI-PMH GetRecord

related terms

aachen
1998

citation

Moers, Jürgen. Entwicklung und Charakterisierung vertikaler Silizium-Feldeffekttransistoren auf der Basis selektiver Epitaxie. Forschungszentrum, Zentralbibliothek, 1998. https://publications.rwth-aachen.de/record/57347